ASML宣布年底发货第一台高NA EUV极紫外光刻机Twinscan EXE:5000

        EUV光刻技术的进展相当艰难，光刻机龙头ASML也在苦苦挣扎，一点点进步。

        ASML宣布将于今年年底出货首款支持高NA（数值孔径）的EUV极紫外光刻机，型号为“Twinscan EXE:5000”。

        NA 数值孔径是光刻机光学系统的重要指标，直接决定光刻机的实际分辨率和可实现的最高工艺节点。

        ASML最先进的EUV光刻机是NEX:3400C、NEX:3400D，NA仅为0.33，对应的分辨率为13nm，可以生产金属间距在38-33nm之间的芯片。

        但金属间距缩小到30nm以下，即对应的工艺节点超过5nm后，这样的分辨率就不够了，EUV双重曝光和/或曝光成形技术只能起到辅助作用，不仅会大大增加成本，而且还会降低良品率。

        因此，更高的NA成为必要，新一代EXE:5000可以达到0.55 NA，光刻分辨率也将缩小至8nm。

        EXE:5000有点像芯片制造商学习如何使用高NA EUV技术的实验平台，而预计2025年出货的下一代EXE:5200可以支持量产。

        Intel最初计划在其18A（1.8nm）工艺节点使用ASML的高NA EUV光刻机，2025年量产，但后来提前到2024年下半年，等不及ASML的新机了。

        因此，Intel改用0.33 NA NXE:3600D/3800E，并叠加双重曝光，实现18A工艺。同时，它采用了应用材料的Endura Sculpta曝光成型系统，最大限度地减少了双重曝光的使用。

        尽管如此，英特尔仍将是高NA EUV光刻机的第一个客户，该光刻机可能会在18A节点后期引入。

        台积电和三星都计划在 2025 年晚些时候投产 2nm 工艺，也可能会使用高 NA EUV 光刻机。

        至于这款先进光刻机的价格，目前还没有官方数据。不同报告估计，单台机器的成本将为3-4亿美元，折合人民币22-29亿元。