未来10年半导体工艺进入1nm以下节点 英特尔研发2D芯片工艺

        由于半导体工艺日益复杂，摩尔定律十多年来一直被认为放缓甚至失效。 10纳米以下的制造变得越来越困难。未来10年将进入1nm以下节点，迫切需要更先进的技术。

        在这一领域，英特尔在22nm节点率先进入FinFET晶体管时代，并在20A和18A节点采用了RibbonFET和PowerVia两种新技术。未来，需要改变晶体管结构。英特尔的目标是新型2D TMD材料。

        2D是指由单层原子组成的晶体，TMD是过渡金属二硫化物的缩写，包括二硫化钼（MoS2）、二硫化钨（WS2）和二硒化钨（WSe2），这些新材料可以实现沟槽厚度小于1nm，同时具有更好的带隙和迁移率，即高性能和低功耗的优点。

        制备2D TMD材料并不容易。为此，英特尔最近宣布与欧洲CEA-Leti达成合作协议，在300mm晶圆上开发2D TMD层转移技术。后者是该领域的专家，可以提供专业的键合和层转移技术支持，方便英特尔制造最终的硅基芯片。

        这个过程可能需要很多年。英特尔的目标是在2030年后继续扩展摩尔定律，即进一步提高晶体管密度、提高性能、降低成本和功耗。

        文章出处：快科技