存储技术再次突破！世界最先进的3D NAND存储芯片来自长江存储
10月25日，TechInsights，一家知名半导体行业观察机构，发布了一则消息称，在一款消费电子产品中，他们发现了一种采用最先进3D NAND存储芯片的产品，这种芯片是由中国顶级3D NAND制造商——长江存储制造的。
据报道，TechInsights在2023年7月推出了由长江存储制造的232层QLC 3D NAND芯片，这种新的QLC芯片具有19.8 Gb/mm2的商用NAND产品中最高的比特密度。相比较传统的2D NAND芯片，这种新型芯片在存储密度和性能方面都取得了显著提升。该芯片采用了长江存储独特的3D NAND技术，通过多层叠加实现更高的比特密度。同时，它还采用了QLC技术，相较于传统的SLC NAND，具有更高的读写速度和更低的功耗。基于这些优势，该芯片在存储密度、功耗和性能等方面都相较于传统芯片有了很大的提升。TechInsights的专家表示，这种新的QLC 3D NAND芯片将为存储行业带来全新的变革。它将推动存储密度和性能的新高峰，进一步满足人工智能、云计算等高速发展的数据存储需求。同时，该芯片也将在数据中心的应用中发挥重要作用，为云计算和大数据处理提供更高效的存储解决方案。该新型芯片的推出，也标志着长江存储在存储芯片领域取得了重要的突破和进展。作为一家致力于推动存储技术发展的公司，长江存储将继续致力于推动存储技术的创新和发展，为全球存储产业带来更多的创新和发展机会。
本次的研究成果超越了同样致力于开发232层QLC 3D NAND芯片的美光和英特尔(Solidigm)。
长江存储232L QLC芯片
致态Ti600 1TB固态硬盘
根据TechInsights的报道，尽管公司受到制裁后面临巨大困难，包括被限制向苹果供应基于中国生产的iPhone零部件，以及被列入美国的实体名单，但长江存储仍在积极研发最先进的技术。
近期存储市场持续低迷，许多内存制造商为节省成本而采取措施，这可能为长江存储提供了机会，使其能够掌握更高比特密度和3D Xtacking NAND技术的领先地位。
三星现在的战略重点是专注于V9 3D NAND的TLC和QLC，因此其还没有在236层(V8) 3D NAND上开发QLC。
三星在上周举行的“内存技术日”上宣布了其面向移动市场的QLC产品——采用176层(V7)技术的512GB UFS 3.1产品，这是三星首次公开这类产品。
SK海力士的主要业务是生产TLC产品，而不是QLC产品。
近年来，越来越多的证据表明，中国正在积极努力克服贸易限制，并取得了比预期更大的成功，建立了本土半导体供应链。
在TechInsights对华为Mate 60 Pro进行拆解后，Dan Hutcheson，TechInsights的副主席，给出了如下的评价。
中国制造出这样的产品确实令人惊叹，这表明中国拥有非常强大的能力，而且仍在不断进步和发展技术。我们祝愿中国继续在制造领域取得成功。